5% скидка на онлайн заказы

МОП-транзисторы

Вы смотрите 1 - 20 из 342 результатов
Отображается:
Показать на странице
20
  • 20
  • 50
  • 100
Цена
(Указанные цены не включают НДС)
Информация о товаре Производитель Тип канала Максимальный непрерывный ток стока Максимальное напряжение сток-исток Максимальное сопротивление сток-исток Maximum Gate Threshold Voltage Minimum Gate Threshold Voltage Максимальное напряжение затвор-исток Тип корпуса Тип монтажа Число контактов Transistor Configuration Номер канала Категория Максимальное рассеяние мощности Типичная входная емкость при Vds Типичный заряд затвора при Vgs Размеры Типичное время задержки выключения Серия Типичное время задержки включения Ширина Высота Длина Прямое напряжение диода Максимальная рабочая температура Количество элементов на ИС Минимальная рабочая температура
MIC94052YC6-TR Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 6 V MIC94052, 6-Pin SC-70 Microchip Technology Microchip Technology P 2 A 6 В 180 мΩ 1.2V 0.5V -6 V SC-70 Поверхностный монтаж 6 Одинарный - - 270 мВт - - 2.2 x 1.35 x 1мм 60 нс MIC94052 15 нс 1.35мм 1мм 2.2мм - +150 °C 2 -40 °C
DN2470K4-G Dual N-Channel MOSFET, 170 mA, 700 V Depletion DN2470, 4-Pin DPAK Microchip Technology Microchip Technology N 170 мА 700 В 42 Ω - - 20 V TO-252 Поверхностный монтаж 4 Одинарный Опускание - 2,5 Вт 540 (Maximum) pF @ 25 V - 0.26 x 0.24 x 0.09дюйм 45 ns DN2470 30 нс 6.1мм 2.29мм 6.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C
DN2625K4-G Dual N-Channel MOSFET, 1.1 A, 250 V Depletion DN2625, 4-Pin DPAK Microchip Technology Microchip Technology N 1,1 А 250 В 3.5 Ω - - 20 V TO-252 Поверхностный монтаж 4 Одинарный Опускание - - 800 пФ при 25 В 7,04 при 1,5 В 0.26 x 0.24 x 0.09дюйм 10 нс DN2625 10 нс 6.1мм 2.29мм 6.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C
DN2470K4-G Dual N-Channel MOSFET, 170 mA, 700 V Depletion DN2470, 4-Pin DPAK Microchip Technology
  • ГРН 33,48
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 170 мА 700 В 42 Ω - - 20 V TO-252 Поверхностный монтаж 4 Одинарный Опускание - 2,5 Вт 540 (Maximum) pF @ 25 V - 0.26 x 0.24 x 0.09дюйм 45 ns DN2470 30 нс 6.1мм 2.29мм 6.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C
DN2540N8-G Dual N-Channel MOSFET, 170 mA, 400 V Depletion DN2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • ГРН 33,48
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 170 мА 400 V 25 Ω - - 20 V TO-243AA Поверхностный монтаж 3 Одинарный Опускание - 1,6 Вт 200 пФ при 25 В - 4.6 x 2.6 x 1.6мм 15 нс DN2540 10 нс 2.6мм 1.6мм 4.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C
DN2540N8-G Dual N-Channel MOSFET, 170 mA, 400 V Depletion DN2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology Microchip Technology N 170 мА 400 V 25 Ω - - 20 V TO-243AA Поверхностный монтаж 3 Одинарный Опускание - 1,6 Вт 200 пФ при 25 В - 4.6 x 2.6 x 1.6мм 15 нс DN2540 10 нс 2.6мм 1.6мм 4.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C
DN2625K4-G Dual N-Channel MOSFET, 1.1 A, 250 V Depletion DN2625, 4-Pin DPAK Microchip Technology
  • ГРН 50,40
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 1,1 А 250 В 3.5 Ω - - 20 V TO-252 Поверхностный монтаж 4 Одинарный Опускание - - 800 пФ при 25 В 7,04 при 1,5 В 0.26 x 0.24 x 0.09дюйм 10 нс DN2625 10 нс 6.1мм 2.29мм 6.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C
MIC94052YC6-TR Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 6 V MIC94052, 6-Pin SC-70 Microchip Technology
  • ГРН 18,90
  • за единицу (в упаковке 20)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology P 2 A 6 В 180 мΩ 1.2V 0.5V -6 V SC-70 Поверхностный монтаж 6 Одинарный - - 270 мВт - - 2.2 x 1.35 x 1мм 60 нс MIC94052 15 нс 1.35мм 1мм 2.2мм - +150 °C 2 -40 °C
R6002END3TL1 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 600 V R6002END3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 14,44
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6031
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6002END3TL1
ROHM N 1,7 А 600 В 3.4 Ω 4V 2V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 26 Вт 65 pF @ 25 V 6,5 нКл при 10 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 25 ns R6002END3 12 нс 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6002END3TL1 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 600 V R6002END3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 19,22
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6266
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6002END3TL1
ROHM N 1,7 А 600 В 3.4 Ω 4V 2V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 26 Вт 65 pF @ 25 V 6,5 нКл при 10 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 25 ns R6002END3 12 нс 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6003KND3TL1 N-Channel MOSFET, 3 A, 600 V R6003KND3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 19,76
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6032
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6003KND3TL1
ROHM N 3 A 600 В 1.5 Ω 5.5V 3.5V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 44 Вт 185 пФ при 25 В 8 нКл при 10 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 32 нс R6003KND3 17 нс 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6003KND3TL1 N-Channel MOSFET, 3 A, 600 V R6003KND3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 26,21
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6292
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6003KND3TL1
ROHM N 3 A 600 В 1.5 Ω 5.5V 3.5V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 44 Вт 185 пФ при 25 В 8 нКл при 10 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 32 нс R6003KND3 17 нс 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6004END3TL1 N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004END3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 19,44
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6033
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004END3TL1
ROHM N 4 А 600 В 980 мΩ 4V 2V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 59 Вт 250 pF @ 25 V 15 нКл при 10 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 55 нс R6004END3 22 ns 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6004END3TL1 N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004END3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 25,81
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6311
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004END3TL1
ROHM N 4 А 600 В 980 мΩ 4V 2V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 59 Вт 250 pF @ 25 V 15 нКл при 10 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 55 нс R6004END3 22 ns 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6004ENJTL N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004ENJ, 3-Pin D2PAK ROHM
  • ГРН 24,41
  • за единицу (в рулоне 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6034
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004ENJTL
ROHM N 4 А 600 В 980 мΩ 4V 2V ±30 В TO-263 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 58 Вт 250 pF @ 25 V 15 нКл при 10 В 10.4 x 9.2 x 4.7мм 55 нс R6004ENJ 22 ns 9.2мм 4.7мм 10.4мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6004ENJTL N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004ENJ, 3-Pin D2PAK ROHM
  • ГРН 32,29
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6330
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004ENJTL
ROHM N 4 А 600 В 980 мΩ 4V 2V ±30 В TO-263 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 58 Вт 250 pF @ 25 V 15 нКл при 10 В 10.4 x 9.2 x 4.7мм 55 нс R6004ENJ 22 ns 9.2мм 4.7мм 10.4мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C
R6004JND3TL1 N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004JND3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 22,03
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6035
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004JND3TL1
ROHM N 4 А 600 В 1.43 Ω 7V 5V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 60 Вт 260 пФ при 100 В 10,5 нКл при 15 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 24 ns R6004JND3 13 ns 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.7V +150 °C 1 -55 °C
R6004JND3TL1 N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004JND3, 3-Pin DPAK ROHM
  • ГРН 29,23
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6346
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004JND3TL1
ROHM N 4 А 600 В 1.43 Ω 7V 5V ±30 В TO-252 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 60 Вт 260 пФ при 100 В 10,5 нКл при 15 В 6.8 x 6.4 x 2.4мм 24 ns R6004JND3 13 ns 6.4мм 2.4мм 6.8мм 1.7V +150 °C 1 -55 °C
R6004JNJGTL N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004JNJ, 3-Pin D2PAK ROHM
  • ГРН 27,94
  • за единицу (в рулоне 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6036
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004JNJGTL
ROHM N 4 А 600 В 1.43 Ω 7V 5V ±30 В TO-263S Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 60 Вт 260 пФ при 100 В 10,5 нКл при 15 В 10.4 x 9.2 x 4.7мм 24 ns R6004JNJ 13 ns 9.2мм 4.7мм 10.4мм 1.7V +150 °C 1 -55 °C
R6004JNJGTL N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V R6004JNJ, 3-Pin D2PAK ROHM
  • ГРН 37,80
  • за единицу (в упаковке 10)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
  • RS номер 177-6365
  • Производитель ROHM
  • Mfr. Part No. R6004JNJGTL
ROHM N 4 А 600 В 1.43 Ω 7V 5V ±30 В TO-263S Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 60 Вт 260 пФ при 100 В 10,5 нКл при 15 В 10.4 x 9.2 x 4.7мм 24 ns R6004JNJ 13 ns 9.2мм 4.7мм 10.4мм 1.7V +150 °C 1 -55 °C
Проверить наличие на складе
Введите нужное Вам количество и нажмите "Проверить". Информация обновлена
. Информация обновляется раз в день, поэтому количество на складе может отличаться, в зависимости от времени размещения заказа.
RS номер:
Я ищу 
Compare list full
You can only compare 8 products at a time

View or remove your products on your Compare page
Вы смотрите 1 - 20 из 342 результатов