Your search returned 7584 products in 136 categories

Go to products

ИС управления питанием (2198)

Драйверы и контроллеры дисплеев (73)

Светодиодные компоненты систем освещения (39)

Электродвигатели, контроллеры и регуляторы, периферийные устройства (17)

Устройства обработки видеосигнала (5)

Пассивные фильтры (2)

Устройства обработки звукового сигнала (1)

Компоненты защиты от перенапряжения (1)

All Products

Вы смотрите 1 - 20 из 7584 результатов
Отображается:
Results per page
20
  • 20
  • 50
  • 100
Отсортировать по
Price
  • Price
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • Производитель
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • Номер производителя
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • Тип продукта
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • RS номер
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • ГРН 1,25
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 24W, 3-Pin SOT-23
  • Diode Configuration Общий анод
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Защита от электрических разрядов Yes
  • Количество элементов на ИС 2
  • Длина 2.9mm
See similar products in TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)
  • ГРН 1,25
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor MMSZ5245BT1G Zener Diode, 15V 5% 0.5 W SMT 2-Pin SOD-123
  • Diode Configuration Single
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Тип диода Зенера Регулятор напряжения
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 2.69mm
See similar products in Диоды Зенера
  • ГРН 185,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB30N120LWG, IGBT, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Длина 16.26mm
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
  • Максимальный непрерывный ток коллектора 60 A
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 280,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG, IGBT, 80 A 1200 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Длина 16.25mm
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
  • Максимальный непрерывный ток коллектора 80 A
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 14,80
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD20N06LT4G N-channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73mm
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 9,6 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 21,10
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD6414ANT4G N-channel MOSFET, 32 A, 100 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73mm
  • Типичное время задержки включения 11 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 6,60
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NVTR4503NT1G N-channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 3.04mm
  • Типичное время задержки включения 4,8 нс, 5,8 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 3,70
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor SMF05CT1G, Quint Uni-Directional TVS Diode, 100W, 6-Pin SC-88
  • Diode Configuration Общий анод
  • Максимальная рабочая температура +125 °C
  • Защита от электрических разрядов Yes
  • Количество элементов на ИС 5
  • Длина 2.2mm
See similar products in TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)
  • ГРН 3,70
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor SMF12CT1G, Quint Uni-Directional TVS Diode, 100W, 6-Pin SC-88
  • Diode Configuration Общий анод
  • Максимальная рабочая температура +125 °C
  • Защита от электрических разрядов Yes
  • Количество элементов на ИС 5
  • Длина 2.2mm
See similar products in TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)
  • ГРН 32,80
  • за единицу (в упаковке 50)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NDF10N60ZG N-channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 10.63mm
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 15 ns
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 160,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTG50N60FWG, IGBT, 100 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Длина 16.25mm
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 V
  • Максимальный непрерывный ток коллектора 100 A
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 2,70
  • за единицу (в рулоне 4000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTK3139PT1G P-channel MOSFET, 870 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 1.25mm
  • Типичное время задержки включения 9 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 6,30
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTLJF4156NT1G N-channel MOSFET, 4.6 A, 30 V, 6-Pin WDFN
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 2mm
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 4,8 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 7,80
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTMD5838NLR2G Dual N-channel MOSFET, 8.9 A, 40 V, 8-Pin SOIC
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 2
  • Длина 5mm
  • Transistor Configuration Isolated
  • Типичное время задержки включения 11 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 10,90
  • за единицу (в рулоне 1500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G N-channel MOSFET, 59 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 5.1mm
  • Типичное время задержки включения 7,2 нс, 12,1 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 8,40
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NUP4202W1T2G, Quad Uni-Directional TVS Diode Array, 500W, 6-Pin SC-88
  • Diode Configuration Сложная матрица
  • Максимальная рабочая температура +125 °C
  • Защита от электрических разрядов Yes
  • Количество элементов на ИС 4
  • Длина 2.2mm
See similar products in TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)
  • ГРН 28,90
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NVD5890NLT4G N-channel MOSFET, 123 A, 40 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73mm
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 12 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 4,25
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor P6SMB39AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB
  • Diode Configuration Single
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Защита от электрических разрядов Yes
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 4.6mm
See similar products in TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)
  • ГРН 6,40
  • за единицу (в упаковке 50)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semi NSM3005NZTAG Dual NPN+PNP Transistor, 0.5 A, 30 V, 6-Pin UDFN
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 2
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.1 V
See similar products in Биполярные транзисторы
  • ГРН 141,00
  • за единицу (в упаковке 2)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB25N120FL3WG, IGBT, 100 A 1200 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Длина 16.25mm
  • Transistor Configuration Single
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
See similar products in IGBT транзисторы
Проверить наличие на складе
Введите нужное Вам количество и нажмите "Проверить". Информация обновлена
. Информация обновляется раз в день, поэтому количество на складе может отличаться, в зависимости от времени размещения заказа.
RS номер:
Я ищу 
Compare list full
You can only compare 8 products at a time

View or remove your products on your Compare page
Вы смотрите 1 - 20 из 7584 результатов