Your search returned 7611 products in 136 categories

Go to products

ИС управления питанием (2199)

Драйверы и контроллеры дисплеев (73)

Светодиодные компоненты систем освещения (39)

Электродвигатели, контроллеры и регуляторы, периферийные устройства (17)

Устройства обработки видеосигнала (5)

Пассивные фильтры (2)

Устройства обработки звукового сигнала (1)

Компоненты защиты от перенапряжения (1)

All Products

Вы смотрите 1 - 20 из 7611 результатов
Отображается:
Results per page
20
  • 20
  • 50
  • 100
Отсортировать по
Price
  • Price
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • Производитель
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • Номер производителя
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • Тип продукта
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • RS номер
    • Увеличению
    • Уменьшению
  • ГРН 4,00
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor MC74LCX125DR2G, Quad Non-Inverting 3-State Buffer, 2 → 3.6 V, 14-Pin SOIC
  • Количество каналов 4
  • Максимальный выходной ток высокого уровня -24mA
  • Максимальная рабочая температура +85 °C
  • Длина 8.75mm
  • Schmitt Trigger Input No
See similar products in Буферы
  • ГРН 115,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semi MJH11021G PNP Darlington Transistor, 15 A 250 V HFE:100, 3-Pin TO-247
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 3.8 V
  • Длина 16.26mm
See similar products in Транзисторы Дарлингтона
  • ГРН 6,20
  • за единицу (в упаковке 50)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semi NSM3005NZTAG Dual NPN+PNP Bipolar Transistor, 0.5 A, 30 V, 6-Pin UDFN
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 2
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,1 В
See similar products in Биполярные транзисторы
  • ГРН 1,20
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 24W, 3-Pin SOT-23
  • Diode Configuration Общий анод
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Защита от электрических разрядов Yes
  • Количество элементов на ИС 2
  • Длина 2.9mm
See similar products in TVS диоды (диоды подавления переходных скачков напряжения)
  • ГРН 1,20
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor MMSZ5245BT1G Zener Diode, 15V 5% 0.5 W SMT 2-Pin SOD-123
  • Diode Configuration Single
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Тип диода Зенера Регулятор напряжения
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 2.69mm
See similar products in Диоды Зенера
  • ГРН 31,80
  • за единицу (в упаковке 50)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NDF10N60ZG N-channel MOSFET Transistor, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 10.63мм
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 15 ns
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 136,00
  • за единицу (в упаковке 2)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB25N120FL3WG, IGBT Transistor, 100 A 1200 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Длина 16.25mm
  • Transistor Configuration Single
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 180,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB30N120LWG, IGBT Transistor, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Длина 16.26mm
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
  • Максимальный непрерывный ток коллектора 60 A
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 272,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG, IGBT Transistor, 80 A 1200 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Длина 16.25mm
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
  • Максимальный непрерывный ток коллектора 80 A
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 156,00
  • за единицу (в упаковке 2)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB40N120FL3WG, IGBT Transistor, 160 A 1200 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Длина 16.25mm
  • Transistor Configuration Single
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 164,00
  • за единицу (в упаковке 2)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTB40N120L3WG, IGBT Transistor, 160 A 1200 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Длина 16.25mm
  • Transistor Configuration Single
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 V
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 156,00
  • за единицу (в упаковке 30)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NGTG50N60FWG, IGBT Transistor, 100 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Длина 16.25mm
  • Производитель ON Semiconductor
  • Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 V
  • Максимальный непрерывный ток коллектора 100 A
See similar products in IGBT транзисторы
  • ГРН 14,30
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD20N06LT4G N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73мм
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 9.6 ns
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 13,10
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD20P06LT4G P-channel MOSFET Transistor, 15.5 A, 60 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73мм
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 11 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 11,10
  • за единицу (в упаковке 75)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD2955-1G P-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73мм
  • Типичное время задержки включения 10 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 8,60
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD2955T4G P-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73мм
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 10 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 7,70
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD5867NLT4G N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73мм
  • Типичное время задержки включения 6.5 ns
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 20,50
  • за единицу (в рулоне 2500)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTD6414ANT4G N-channel MOSFET Transistor, 32 A, 100 V, 3-Pin DPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73мм
  • Типичное время задержки включения 11 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 2,95
  • за единицу (в рулоне 3000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTE4151PT1G P-channel MOSFET Transistor, 0.76 A, 20 V, 3-Pin SC-89
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 1.7мм
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 8 нс
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
  • ГРН 2,65
  • за единицу (в рулоне 4000)
  • Check Stock Levels
  • Compare
ON Semiconductor NTK3139PT1G P-channel MOSFET Transistor, 0.87 A, 20 V, 3-Pin SOT-723
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 1.25mm
  • Типичное время задержки включения 9 нс
  • Производитель ON Semiconductor
See similar products in Полевых МОП-транзисторы
Проверить наличие на складе
Введите нужное Вам количество и нажмите "Проверить". Информация обновлена
. Информация обновляется раз в день, поэтому количество на складе может отличаться, в зависимости от времени размещения заказа.
RS номер:
Я ищу 
Compare list full
You can only compare 8 products at a time

View or remove your products on your Compare page
Вы смотрите 1 - 20 из 7611 результатов